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HN1B04FE-GR,LF
HN1B04FE-GR,LF
제품 모델:
HN1B04FE-GR,LF
제조사:
Toshiba Semiconductor
기술:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12348 Pieces
데이터 시트:
HN1B04FE-GR,LF.pdf
문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 10mA, 100mA
트랜지스터 유형:NPN, PNP
제조업체 장치 패키지:ES6
연속:-
전력 - 최대:100mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
다른 이름들:HN1B04FE-GR(5L,F,T
HN1B04FE-GR(5LFTTR
HN1B04FE-GR(5LFTTR-ND
HN1B04FE-GR,LF(B
HN1B04FE-GR,LF(T
HN1B04FE-GRLF(TTR
HN1B04FE-GRLF(TTR-ND
HN1B04FE-GRLFTR
HN1B04FEGRLFTR
HN1B04FEGRLFTR-ND
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
제조업체 부품 번호:HN1B04FE-GR,LF
주파수 - 전환:80MHz
확장 설명:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
기술:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:200 @ 2mA, 6V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):150mA
Email:[email protected]

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