SI3905DV-T1-E3
SI3905DV-T1-E3
제품 모델:
SI3905DV-T1-E3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
19353 Pieces
데이터 시트:
SI3905DV-T1-E3.pdf

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. SI3905DV-T1-E3, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. SI3905DV-T1-E3을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
사다 BYCHPS가있는 SI3905DV-T1-E3
보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):450mV @ 250µA (Min)
제조업체 장치 패키지:6-TSOP
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
전력 - 최대:1.15W
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:SI3905DV-T1-E3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:6nC @ 4.5V
FET 유형:2 P-Channel (Dual)
FET 특징:Logic Level Gate
확장 설명:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
소스 전압에 드레인 (Vdss):8V
기술:MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):-
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석